初级口腔技士专业知识模拟试卷11

<br /> <br />初级口腔技士专业知识模拟试卷 11 <br />(总分：200 分，做题时间：90 分钟) <br />一、 A1 型题(总题数：59，score:118 分) <br />1.某技师使用天津产 BGL-50G 型高频铸造机铸造钴铬 <br />支架，在坩埚内放适量合金，将焙烧好的铸圈放在 <br />&ldquo;V&rdquo;形托架上，对准铸道口，调整配重，熔解时合 <br />金飞溅，铸造时铸道口上移，刚按停止键就打开机 <br />盖，这种铸造机采用的是哪种铸造方法 <br />【score:2 分】 <br /> 【A】蒸汽压力铸造 <br /> 【B】离心力铸造 【此项为本题正确答案】 <br /> 【C】真空、充压、加离心铸造 <br /> 【D】真空铸造 <br /> 【E】真空、充压铸造 <br />本题思路：天津产 BGL-50G 型高频铸造机采用的是离 <br />心力铸造法。 <br />2.某技师使用天津产 BGL-50G 型高频铸造机铸造钴铬 <br />支架，在坩埚内放适量合金，将焙烧好的铸圈放在 <br />&ldquo;V&rdquo;形托架上，对准铸道口，调整配重，熔解时合 <br />金飞溅，铸造时铸道口上移，刚按停止键就打开机 <br /> <br /> <br />盖，合金飞溅可能的原因是 <br />【score:2 分】 <br /> 【A】合金熔点太低 <br /> 【B】合金里有杂质 <br /> 【C】坩埚混用 【此项为本题正确答案】 <br /> 【D】合金熔点太高 <br /> 【E】坩埚有裂缝 <br />本题思路：使用天津产 BGL-50G 型高频铸造机铸造时 <br />合金飞溅可能的原因是坩埚混用，造成了合金相互污 <br />染。 <br />3.某技师使用天津产 BGL-50G 型高频铸造机铸造钴铬 <br />支架，在坩埚内放适量合金，将焙烧好的铸圈放在 <br />&ldquo;V&rdquo;形托架上，对准铸道口，调整配重，熔解时合 <br />金飞溅，铸造时铸道口上移，刚按停止键就打开机 <br />盖，技师在工作过程中；哪项违反了操作规程 <br />【score:2 分】 <br /> 【A】合金放置不当 <br /> 【B】&ldquo;V&rdquo;形托架太高 <br /> 【C】坩埚有裂缝 <br /> 【D】配重没有平衡 <br /> <br /> <br /> 【E】机器没有停稳就打开盖 【此项为本题正确 <br />答案】 <br />本题思路：按停止键后，应待离心机停止旋转后才能 <br />打开盖板，避免发生危险。 <br />4.钴铬合金和镍铬合金铸件主要使用的抛光剂 <br />【score:2 分】 <br /> 【A】抛光黄 <br /> 【B】抛光绿 【此项为本题正确答案】 <br /> 【C】牙膏 <br /> 【D】抛光红 <br /> 【E】以上都不是 <br />本题思路：常用抛光膏有红膏和绿膏，主要成分是氧 <br />化铁、红丹和氧化铬等。金合金和铜合金等中熔合金 <br />的铸件抛光常使用红膏(又称抛光红)，钴铬合金和镍 <br />铬不锈钢及镍铬合金铸件主要使用绿膏(又称抛光 <br />绿)。 <br />5.患者，女。 缺失， 基牙，采用弯制卡环。若 <br />向舌侧近中倾斜，该基牙采用的卡环应为 <br />【score:2 分】 <br /> <br /> <br /> 【A】正型卡环，卡环臂末端位于 远中 <br /> 【B】间隙卡环，卡环臂末端位于 颊侧近中 <br /> 【C】环形卡环，卡环臂末端位于 颊侧近中 <br /> 【D】环形卡环，卡环臂末端位于 舌侧近 <br />中 【此项为本题正确答案】 <br /> 【E】以上都不是 <br />本题思路：远中孤立基牙 向舌侧近中倾斜，采用 <br />的卡环应为环形卡环。 <br />6.热凝塑料在气压聚合时，水的沸点可达 <br />【score:2 分】 <br /> 【A】90～100℃ <br /> 【B】100～110℃ <br /> 【C】110～120℃ <br /> 【D】120～130℃ 【此项为本题正确答案】 <br /> 【E】130℃以上 <br />本题思路：热凝塑料在气压聚合时，水的沸点可达 <br />120～130℃。 <br /> <br /> <br />7.微波聚合法是采用电子学加热的方法使塑料产生高 <br />速聚合，其原理是 <br />【score:2 分】 <br /> 【A】原子内加热 <br /> 【B】分子内加热 【此项为本题正确答案】 <br /> 【C】以上都不是 <br /> 【D】原子外加热 <br /> 【E】分子外加热 <br />本题思路：微波聚合法原理是分子内加热。 <br />8.上颌连模铸造中腭杆通常应位于 <br />【score:2 分】 <br /> 【A】上颌尖牙之前 <br /> 【B】上颌第一前磨牙与第一磨牙之间 【此项为 <br />本题正确答案】 <br /> 【C】上颌第二磨牙之后 <br /> 【D】上颌尖牙部位 <br /> 【E】上颌第一磨牙之后 <br />本题思路：上颌连模铸造中腭杆通常应位于上颌第一 <br />前磨牙与第一磨牙之间。 <br /> <br /> <br />9.在下列铸造对半卡环的各项叙述中不正确的是 <br />【score:2 分】 <br /> 【A】有两个卡环臂端 <br /> 【B】此卡环可用于基牙黏膜混合支持式义齿 <br /> 【C】此卡环臂末端进入倒凹区的长度及深度同正 <br />型卡环 <br /> 【D】两个卡环臂端均在基牙的近中或远中 【此 <br />项为本题正确答案】 <br /> 【E】此卡环可用于基牙支持式义齿...